6月3日，華虹半導體有限公司宣布，其90納米BCD工藝憑借高性能指標及較小的芯片面積等優質特色，在華虹無錫12英寸生產線已實現規模量產。
華虹半導體的90納米BCD工藝擁有更佳的電性參數，并且得益于12英寸制程的穩定性，良率優異，為數字電源、數字音頻功放等芯片應用提供了更具競爭力的制造方案。
華虹半導體執行副總裁范恒表示，智能化硬件種類與應用場景不斷增多，對電源管理芯片的需求持續攀升，對電源管理芯片的性能要求也在不斷提高。華虹半導體將持續深耕電源管理領域，加速發展技術布局與客戶積累，進一步鞏固和提升公司在電源管理應用領域的技術優勢。
華虹宏力和國家集成電路產業投資基金股份有限公司、無錫錫虹聯芯投資有限公司等在無錫高新技術產業開發區內，合資設立了華虹半導體（無錫）有限公司。其一期項目有一座月產能4萬片的12英寸晶圓廠（華虹七廠），工藝節點覆蓋90~65/55納米，“IC+Discrete”強大的工藝技術平臺有力支持物聯網等新興領域應用。不僅是中國大陸領先的12英寸特色工藝生產線，亦為全球第一條12英寸功率器件代工生產線。
